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HSGL160N60UFDTU
品牌 HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装 TO-264
包装形式
包装数量 24
库存数量 120
商品描述
这款IGBT(绝缘栅双极晶体管)具有600V的集射极击穿电压(VCES),可在高达160A的集电极电流(Ic)下工作,最大功率(Pd)为250W。其栅极阈值电压(Vge(th))在15V、80A条件下仅为2.6V,确保了低驱动损耗和快速开关性能。适用于高性能电源管理、电机控制以及其他需要高电压和大电流处理能力的应用场合。
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产品型号 HSGL160N60UFDTU
品牌 HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装 TO-264
包装数量 24
包装方式

这款IGBT(绝缘栅双极晶体管)具有600V的集射极击穿电压(VCES),可在高达160A的集电极电流(Ic)下工作,最大功率(Pd)为250W。其栅极阈值电压(Vge(th))在15V、80A条件下仅为2.6V,确保了低驱动损耗和快速开关性能。适用于高性能电源管理、电机控制以及其他需要高电压和大电流处理能力的应用场合。

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